サムスン電子は、ペタバイト級のストレージ容量を実現するNANDフラッシュメモリ開発において、新たな進展を見せています。同社は、ハフニア強誘電体と呼ばれる新素材を用いることで、1000層を超えるNANDフラッシュメモリの実現を目指しています。
従来のNANDフラッシュメモリは、データの保存にトランジスタを使用していましたが、ハフニア強誘電体は、より小型で省電力なメモリセルを実現できる可能性を秘めています。
韓国科学技術院（KAIST）の研究者らは、ハフニア強誘電体を用いたNANDフラッシュメモリの実験に成功しており、1000層を超える積層を実現する可能性を示唆しています。
サムスン電子は、この研究成果を自社のNANDフラッシュメモリ開発に活かすことを目指しており、ペタバイト級のストレージ容量を実現する次世代NANDフラッシュメモリの開発を加速させることが期待されています。
詳細情報
- 記事ソース: https://wccftech.com/samsung-over-1000-layer-nand-through-newly-emerged-hafnia-ferroelectrics/
- KAIST ハフニア強誘電体研究: https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0038110123000527
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