先進メモリ技術の世界的リーダーであるSamsung Electronics Co., Ltd.は本日、年次メモリテックデイを開催し、クラウド、エッジデバイス、自動車などの将来のアプリケーション全体で技術進歩を加速する業界初のイノベーションと新しいメモリ製品を展示しました。 。
約600人の顧客、パートナー、業界専門家が出席したこのイベントは、サムスン幹部が「メモリの再考」という同社のビジョンを拡張するプラットフォームとして機能し、メモリ技術のリーダーシップを継続するための長期計画、市場動向と持続可能性の見通しを取り上げた。目標。同社はまた、HBM3E Shinebolt、LPDDR5X CAMM2、取り外し可能な AutoSSD などの新製品イノベーションも発表しました。
Samsung Electronics の社長兼メモリ事業責任者である Jung-Bae Lee 氏は、基調講演で、Samsung が新しいトランジスタ構造と材料の革新を通じてハイパースケール時代の課題をどのように克服するかについて詳しく説明しました。たとえば、サムスンは現在、10 ナノメートル (nm) 未満の DRAM 用の新しい 3D 構造を準備しており、100 ギガビット (Gb) を超える大きなシングルチップ容量を実現できます。サムスンは、2023年5月に量産を開始した12nm級DRAMに続き、業界最高密度を実現する次世代11nm級DRAMの開発に取り組んでいる。
セル サイズを縮小し、チャネル ホール エッチング技術を改良する NAND フラッシュのブレークスルーも開発中であり、1,000 層の垂直 NAND (V-NAND) の到来を目指しています。サムスンの第 9 世代 V-NAND は、ダブルスタック構造に基づいて業界最高の層数を実現するために開発が順調に進んでいます。同社は新しいV-NAND用の機能チップを確保しており、来年初めに量産を開始する予定だ。
「ハイパースケール AI の新時代は、業界をイノベーションとチャンスが交わる岐路に立たせ、課題はあるものの、大きな飛躍の可能性を秘めた時代を迎えています」と Lee 氏は述べています。「私たちは、無限の想像力と絶え間ない忍耐力を通じて、イノベーションを推進し、顧客やパートナーと協力して可能性を広げるソリューションを提供することで、引き続き市場のリーダーシップを発揮していきます。」
HBM3E「Shinebolt」の紹介
今日のクラウド システムは、コンピューティング リソースを最適化するために進化しており、大容量、帯域幅、仮想ストレージ機能を処理するために高性能メモリが必要です。業界初の HBM2 を商品化し、2016 年にハイ パフォーマンス コンピューティング (HPC) 向けの HBM 市場を開拓したサムスンの専門知識に基づいて、同社は本日、Shinebolt と名付けられた次世代 HBM3E DRAM を発表しました。
Samsung の Shinebolt は、次世代 AI アプリケーションを強化し、総所有コスト (TCO) を改善し、データセンターでの AI モデルのトレーニングと推論を高速化します。HBM3E は、ピン速度あたり 9.8 ギガビット/秒 (Gbps) という驚異的な速度を誇り、最大 1.2 テラバイト/秒 (TBps) を超える転送速度を達成できます。
より高い層スタックを可能にし、熱特性を改善するために、サムスンは非導電性フィルム (NCF) テクノロジーを最適化し、チップ層間のギャップを排除し、熱伝導率を最大化しました。
Samsung の 8H および 12H HBM3 製品は現在量産中であり、Shinebolt のサンプルが顧客に出荷されています。同社はトータル半導体ソリューションプロバイダーとしての強みを生かし、次世代HBM、高度なパッケージング技術、ファウンドリ製品を組み合わせたカスタムターンキーサービスの提供も計画している。
このイベントで取り上げられたその他の製品には、業界最高容量の 32Gb DDR5 DRAM、業界初の 32Gbps GDDR7、サーバー アプリケーションのストレージ機能を大幅に強化するペタバイト規模の PBSSD などがあります。
強力なフォーム ファクターによるエッジ デバイスの再定義
データ集約型タスクを処理するために、今日の AI テクノロジーは、クラウド デバイスとエッジ デバイス間でワークロードを割り当てて分散するハイブリッド モデルに移行しています。したがって、サムスンは、エッジで高性能、大容量、低電力、小型フォームファクタをサポートする一連のメモリソリューションを導入しました。
次世代の PC およびラップトップ DRAM 市場で真の変革をもたらすと期待されている業界初の 7.5 Gbps LPDDR5X CAMM2 に加えて、同社はオンデバイス AI に特化した LLW DRAM である 9.6 Gbps LPDDR5X DRAM も展示しました。次世代ユニバーサル フラッシュ ストレージ (UFS)、および PC 用の大容量クアッドレベル セル (QLC) SSD BM9C1。
車載メモリ ソリューションのリーダーシップへの道を拓く
自動運転ソリューションの進歩に伴い、複数のシステム オン チップ (SoC) とデータを共有する高帯域幅、大容量の DRAM および共有 SSD に対する市場の需要も高まっています。Samsung は、仮想ストレージを介して 1 台の SSD から複数の SoC へのデータ アクセスを可能にする Detachable AutoSSD を発表しました。
取り外し可能な AutoSSD は、4 TB の容量で最大 6,500 メガバイト/秒 (MBps) のシーケンシャル読み取り速度をサポートします。SSD は取り外し可能なフォームファクターで提供されるため、車両ユーザーやメーカーにとってアップグレードや調整が容易になります。サムスンはまた、よりコンパクトなパッケージサイズを備えた高帯域幅 GDDR7 や LPDDR5X などの車載メモリ ソリューションも展示しました。
テクノロジーを持続可能にするテクノロジー サムスンは、環境への影響を最小限に抑える取り組みの一環として、顧客と消費者のエネルギー効率の向上に貢献する半導体事業におけるさまざまなイノベーションを強調しました。
同社は、二酸化炭素排出量を削減するためにポータブルSSD製品にリサイクル材料を使用しながら、データセンター、PC、モバイルデバイスの消費電力を削減できる超低電力メモリ技術を確保する予定です。PBSSD などのサムスンの次世代ソリューションは、スペース効率とラック容量を最大化するため、サーバー システムのエネルギー使用量の削減にも役立ちます。
サムスンの半導体事業は、顧客やパートナーを含む半導体バリューチェーン全体のステークホルダーと協力しながら、サステナビリティへの取り組みである「技術を持続可能にする技術」を通じて、地球規模の気候問題への取り組みにおいて積極的な役割を果たしていきます。
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